一. ku娱乐官网入口概述：
LPCVD低压化学气相淀积是半导体集成电路制造的重要工序之一，本ku娱乐官网入口主要用于：4-6英寸硅片LTO=二氧化硅、SIPOS=含氧多晶硅、SI3N4=氮化硅、PSG=磷硅玻璃、POLY=多晶硅薄膜的生长。它是将原材料气体（或者液态源气化）用热能激活发生化学反应而在基片表面生成固体薄膜。低压化学气相淀积是在低压下进行的，由于气压低，气体分子平均自由程大,使生长的薄膜均匀性好,而且基片可以竖放而装片量大，特别适用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的工业化生产专用ku娱乐官网入口，采用电脑工控机软件控制方式，是其性能技术指标已经达到国际先进技术水平。
二．ku娱乐官网入口类型参数：
| 方式：
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左/右手操作方式，大工作台面（侧面采用高效净化）
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可配工艺管数量：
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1-4管系统
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可装片数：
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200片/管
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淀积膜种类
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LTO-二氧化硅、SIPOS-含氧多晶硅、SI3N4-氮化硅、PSG-磷硅玻璃、POLY-多晶硅、TEOS-氧化硅
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净化台洁净度：
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100级（10000级厂房）
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气体流量控制：
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均用数字化MFC控制
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气路流量设定精度：
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±2%FS
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气路气密性：
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优于1×10-7pa.m3/s
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送取片方式：
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自动推拉,采用Sic浆推拉舟
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推拉杆行程
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1800mm-2100mm
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速度：
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20mm-1000mm/min
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装舟方式:
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自动装卸石英舟
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冷却系统：
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水冷2～4Kgf/cm2，8L/min；＋上接排风冷≈25m3/min；
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使用类型：
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3-6寸炉管
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工作温度：
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400～1000℃
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炉管有效口径:
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￠150-220mm
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总功率：
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15-25KVA/管 保温功率：8-15KVA/管
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三相五线制：
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380V±10%，50Hz±10%，次级线不小于35平方高温线
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报警:
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具有超温报警，断偶报警，气体互锁，气体缓启动等功能
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恒温区长度及段数：
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800-1200mm（3-5段控温）
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控温精度及长度静态闭管测试：
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±1℃（≧800℃）
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单点温度稳定性：
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静态闭管测试≤±1℃/24h
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控温方式：
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工控机 + PLC控制 + 触摸屏
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热偶类型:
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热电偶采用S/R型，每管Spike 4-10支热偶
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最大可控升温范围：
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(600～1000℃)0--15℃/min
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最大可控降温范围：
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(1000～600℃)0--10℃/min
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真空机组：
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初级直连干泵+罗茨泵
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系统极限真空度：
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优于0.5Pa
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抽速：
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抽至极限真空时间＜10Min。
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工作压力范围：
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±0.2Pa/20~133Pa
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系统漏气率：
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停泵关阀后压升率＜1.6pa/min
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ku娱乐官网入口总外形尺寸：
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长*宽*高：6500*1500*3750mm
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淀积薄膜均匀性(1500情况下)：
| 薄膜
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片内
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片间
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批间
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Si3N4
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±3％
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±3％
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±4％
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TEOS-SiO2
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±3％
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±4％
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±4％
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Poly-Si
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±3％
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±4％
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±4％
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三、主要构成：
| 1、
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ku娱乐官网入口主机
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2、
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加热系统
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3、
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排风冷却系统
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4、
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排毒箱（和ku娱乐官网入口主机做为一体）
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5、
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净化工作台
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6、
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控制系统
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7、
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自动碳化硅浆推拉舟机构
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8、
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真空机组系统
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四、ku娱乐官网入口主要特点和优势
1★具有强大的软件功能，友好的人机界面，用户可以方便地修改工艺控制参数，并可随时显示各种工艺状态；配有故障自诊断软件，可大大节省维修时间；
2★采用高可靠性工控机+PLC模式，对炉温、进退舟、气体流量、阀门进行全自动控制,实现全部工艺过程自动化；
3★程序可以实现手/自动工作，在停电或中途停机后，再次启动可以根据工艺手动升温，节省工艺时间；
4★具有多种工艺管路，可供用户方便选择；
5★冷端采用PT100检测环境温度进行温度补偿，避免环境温度变化，对炉膛温度产生影响，避免层间干扰；
6★推拉舟装载采用Sic悬臂浆，避免与工艺管摩擦产生粉尘，推拉舟运行完一个周期，自动校准位置，有效防止定位偏差；
7★气体流量采用数字化精确控制，采用模拟信号闭环控制，强弱电分开，各种数据交互采用标准总线，提高抗干扰能力，保证数据安全；气体打开具有缓启动功能；
8★具有多种报警功能及安全保护功能；
9★恒温区自动调整，串级控制，可准确控制反应管的实际工艺温度；
